YVO4晶體

yvo4晶體（釩酸釔）是用提拉法生長的單軸晶體。它具有良好的機械和物理性能，由于其較寬的透過范圍和較大的雙折射，并易于加工，是光學偏振器件的理想選擇。福州光驊達光電公司生產(chǎn)的yvo4雙折射晶體被廣泛應(yīng)用于光纖通信領(lǐng)域，是光通信無源器件如光隔離器、環(huán)形器，旋光器、延遲器、偏振器中的關(guān)鍵材料，同時在光束位移器，格蘭偏振器和其他偏振光學器件等許多應(yīng)用中都是方解石（caco3）和金紅石（tio2）晶體的優(yōu)良合成替代品。
yvo4晶體基本特性:
透光范圍
高透光率0.4-5 μm
晶體勻稱性
四方鋯石,空間群d4h
晶格參數(shù)
a=b=7.12a;c=6.29a
密度
4.22 g/cm3
莫氏（mohs）硬度
5,近似玻璃
潮解性
不潮解
熱膨脹系數(shù)
αa=4.43x10-6/k;αc=11.37x10-6/k
熱傳導系數(shù)
//c:5.23 w/m/k;⊥c:5.10 w/m/k
晶系
正單軸晶體no=na=nb,ne=nc
熱光系數(shù)
dna/dt=8.5x10-6/k;dnc/dt=3.0x10-6/k
折射系數(shù)，雙折射系數(shù)(△n=ne-no)，
離散角45°(ρ):
no=1.9929,ne=2.2154,△n=0.2225,ρ=6.04° at 0.63mm
no=1.9500,ne=2.1554,△n=0.2054,ρ=5.72° at 1.30mm
no=1.9447,ne=2.1486,△n=0.2039,ρ=5.69° at 1.55mm
塞米爾（sellmeier）方程(λ用μm表示):
no2=3.77834+0.069736/(λ2-0.04724)-0.0108133λ2
ne2=4.59905+0.110534/(λ2-0.04813)-0.0122676λ2
yvo4晶體的具體應(yīng)用：
光驊達生產(chǎn)的yvo4晶體主要用來制造光隔離器的雙折射楔角片，以及光環(huán)形器和光分束器的厚片bd。
1. 光纖隔離器用雙折射楔角片規(guī)格
孔徑
1.0x 1.0mm2to 4x4mm2
尺寸公差
+/-0.05mm
楔角公差
+/-15%
光軸方位角
+/-0.5°
平面度
λ/4 @ 632.8 nm
表面質(zhì)量
20-10
防反射鍍膜
r<0.2% @1550 or 1310nm
標準尺寸
備注：其他尺寸和鍍膜可根據(jù)要求定制
1.25mmx1.25mmx0.5mm with 13°或15°楔角,
phi=22.5°
2.光環(huán)形器和光分束器用yvo4
尺寸公差
w(+/-0.05mm)xh(+/-0.05mm)xl(+/-0.1mm)or(+/-0.003mm)
光軸方位角
+/-0.5°
平行度
<15 arc sec
垂直度
<10 arc min
平面度
λ/4 @ 632.8nm
表面質(zhì)量
20/10
防反射鍍膜
r<0.2% @1550 or 1310nm +/-40nm
標準尺寸
2.6x2.6x10mm, θ=45°,φ=0°
備注：其他尺寸和規(guī)格可根據(jù)要求定制。