進(jìn)口化學(xué)氣相沉積設(shè)備-沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)公司

化學(xué)氣相沉積的特點(diǎn)
化學(xué)氣相沉積法之所以得到發(fā)展，是和它本身的特點(diǎn)分不開(kāi)的，進(jìn)口化學(xué)氣相沉積設(shè)備報(bào)價(jià)，其特點(diǎn)如下。
i) 沉積物種類多: 可以沉積金屬薄膜、非金屬薄膜，也可以按要求制備多組分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物層。
2) cvd反應(yīng)在常壓或低真空進(jìn)行，進(jìn)口化學(xué)氣相沉積設(shè)備公司，鍍膜的繞射性好，對(duì)于形狀復(fù)雜的表面或工件的深孔、細(xì)孔都能均勻鍍覆。
3) 能得到純度高、致密性好、殘余應(yīng)力小、結(jié)晶良好的薄膜鍍層。由于反應(yīng)氣體、反應(yīng)產(chǎn)物和基體的相互擴(kuò)散，可以得到附著力好的膜層，這對(duì)表面鈍化、*蝕及*等表面增強(qiáng)膜是很重要的。
4) 由于薄膜生長(zhǎng)的溫度比膜材料的熔點(diǎn)低得多，由此可以得到純度高、結(jié)晶完全的膜層，這是有些半導(dǎo)體膜層所必須的。
5) 利用調(diào)節(jié)沉積的參數(shù)，可以有效地控制覆層的化學(xué)成分、形貌、晶體結(jié)構(gòu)和晶粒度等。
6) 設(shè)備簡(jiǎn)單、操作維修方便。
7) 反應(yīng)溫度太高，一般要850~ 1100℃下進(jìn)行，許多基體材料都耐受不住cvd的高溫。采用等離子或激光輔助技術(shù)可以降低沉積溫度。
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化學(xué)氣相沉積法簡(jiǎn)介
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化學(xué)氣相堆積(簡(jiǎn)稱cvd)是反響物質(zhì)在氣態(tài)條件下發(fā)生化學(xué)反響，生成固態(tài)物質(zhì)堆積在加熱的固態(tài)基體外表，進(jìn)而制得固體資料的工藝技術(shù)。它本質(zhì)上歸于原子領(lǐng)域的氣態(tài)傳質(zhì)進(jìn)程。
化學(xué)氣相淀積是近幾十年發(fā)展起來(lái)的制備無(wú)機(jī)資料的新技術(shù)。化學(xué)氣相淀積法已經(jīng)廣泛用于提純物質(zhì)、研發(fā)新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無(wú)機(jī)薄膜資料。這些資料可所以氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可所以iii-v、ii-iv、iv-vi族中的二元或多元的元素間化合物，并且它們的物理功用能夠通過(guò)氣相摻雜的淀積進(jìn)程準(zhǔn)確操控。現(xiàn)在，化學(xué)氣相淀積已成為無(wú)機(jī)合成化學(xué)的一個(gè)新領(lǐng)域。
icp刻蝕機(jī)簡(jiǎn)介
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一．系統(tǒng)概況
該系統(tǒng)主要用于常規(guī)尺寸樣片（不超過(guò)φ6）的刻蝕，可刻蝕的材料主要有sio2、si3n4、多晶硅、
硅、sic、gan、gaas、ito、azo、光刻膠、半導(dǎo)體材料、部分金屬等。設(shè)備具有選擇比高、刻
蝕速率快、重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn)。具體描述如下：
1.系統(tǒng)采用單室方箱式結(jié)構(gòu)，手動(dòng)上開(kāi)蓋結(jié)構(gòu)；
2.真空室組件及配備零部件全部采用鋁材料制造，進(jìn)口化學(xué)氣相沉積設(shè)備多少錢(qián)，真空尺寸為400mm×400×197mm，
內(nèi)腔尺寸ф340mm×160mm；
3.*限真空度：≤6.6x10-4 pa (經(jīng)烘烤除氣后，采用ff160/600分子泵抽氣)；
系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0x10-7 pa.l/s；
系統(tǒng)從大氣開(kāi)始抽氣到5.0x10-3 pa，20分鐘可達(dá)到（采用分子泵抽氣)；
停泵關(guān)機(jī)12小時(shí)后真空度：≤5 pa；
4.采用樣品在下，噴淋頭在上噴淋式進(jìn)氣方式；
5.樣品水冷：由循環(huán)水冷水機(jī)進(jìn)行控制；
7.icp頭尺寸：340mm mm，噴淋頭與樣品之間電*間距50mm；
8. 沉積工作真空：1-20pa；
9. 氣路設(shè)有勻氣系統(tǒng)，真空室內(nèi)設(shè)有保證抽氣均勻性抽氣裝置；
10. 射頻電源：2臺(tái)頻率 13.56mhz，功率600w，全自動(dòng)匹配；
11. 6路氣體，共計(jì)使用6個(gè)質(zhì)量流量控制器控制進(jìn)氣。
氣體：氦氣/氧氣/四氟化碳/*
12. 刻蝕速率
sio2：≥0.5μm/min
si：≥1μm/min
光刻膠：≥1μm/min
13. 刻蝕不均勻性：
優(yōu)于±5%（φ4英寸范圍內(nèi)）
優(yōu)于±6%（φ6英寸范圍內(nèi)）
14. 選擇比
cf4的選擇比為50，
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