10N60插件封裝MOS管-ASEMI-插件封裝MOS管

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mos管的金屬氧化物是什么？
mos管結(jié)構(gòu)示意圖中標(biāo)出的金屬氧化物膜位于上邊部位，25n120插件封裝mos管，這個(gè)膜是絕緣的，用來(lái)電氣隔離，使得柵*只能形成電場(chǎng)，不能通過(guò)直流電，因此是用電壓控制的。在直流電氣上，柵*和源漏*是斷路。不難理解，這個(gè)膜越薄：電場(chǎng)作用越好、坎壓越小、相同柵*電壓時(shí)導(dǎo)通能力越強(qiáng)。壞處是：越容易擊穿、工藝制作難度越大而價(jià)格越貴。
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什么是增強(qiáng)型mos管？
增強(qiáng)型是通過(guò)“加厚”導(dǎo)電溝道的厚度來(lái)導(dǎo)通，由上圖可以看出，柵*電壓越低，則p型源、漏*的正離子就越靠近中間，n襯底的負(fù)離子就越遠(yuǎn)離柵*，柵*電壓達(dá)到一個(gè)值，叫閥值或坎壓時(shí)，由p型游離出來(lái)的正離子連在一起，形成通道，6n60插件封裝mos管，就是圖示效果。因此，容易理解，柵*電壓必須低到一定程度才能導(dǎo)通，電壓越低，通道越厚，導(dǎo)通電阻越小。由于電場(chǎng)的強(qiáng)度與距離平方成正比，因此，電場(chǎng)強(qiáng)到一定程度之后，電壓下降引起的溝道加厚就不明顯了，也是因?yàn)閚型負(fù)離子的“退讓”是越來(lái)越難的。耗盡型的是事先做出一個(gè)導(dǎo)通層，10n60插件封裝mos管，用柵*來(lái)加厚或者減薄來(lái)控制源漏的導(dǎo)通。但這種管子一般不生產(chǎn)，在市面基本見(jiàn)不到。所以，大家平時(shí)說(shuō)mos管，就默認(rèn)是增強(qiáng)型的。
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mos管（mosfet/場(chǎng)效應(yīng)管）的主要參數(shù)：
7. *間電容
·三個(gè)電*之間都存在著*間電容:柵源電容cgs 、柵漏電容cgd和漏源電容cds
·cgs和cgd約為1~3pf，cds約在0.1~1pf之間
8. 低頻噪聲系數(shù)nf
·噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性所引起的。·由于它的存在，插件封裝mos管，就使一個(gè)放大器即便在沒(méi)有信號(hào)輸人時(shí)，在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化
·噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)nf來(lái)表示，它的單位為分貝(db)。這個(gè)數(shù)值越小，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小
·低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測(cè)出的噪聲系數(shù)
·場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝，它比雙*性三*管的要小
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