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多晶金剛石拋光液多晶金剛石拋光液以多晶金剛石微粉為主要成分，配合高分散性配方，可以在保持高切削率的同時(shí)不易對(duì)研磨材質(zhì)產(chǎn)生劃傷。主要應(yīng)用于藍(lán)寶石襯底的研磨、led芯片的背部減薄、光學(xué)晶體以及硬盤磁頭等的研磨和拋光。氧化硅拋光液氧化硅拋光液（cmp拋光液）是以高純硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度低金屬離子型拋光產(chǎn)品。廣泛用于多種材料納米級(jí)的高平坦化拋光，如：硅晶圓片、鍺片、化合物半導(dǎo)體材料、磷化銦，精密光學(xué)器件、藍(lán)寶石片等的拋光加工。
依據(jù)機(jī)械加工原理、半導(dǎo)體材料工程學(xué)、物力化學(xué)多相反應(yīng)多相催化理論、表面工程學(xué)、半導(dǎo)體化學(xué)基礎(chǔ)理論等，對(duì)硅單晶片化學(xué)機(jī)械拋光（cmp）機(jī)理、動(dòng)力學(xué)控制過程和影響因素研究標(biāo)明，化拋劑價(jià)格，化學(xué)機(jī)械拋光是一個(gè)復(fù)雜的多相反應(yīng)，它存在著兩個(gè)動(dòng)力學(xué)過程：（1）拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進(jìn)行氧化還原的動(dòng)力學(xué)過程。這是化學(xué)反應(yīng)的主體。（2）拋光表面反應(yīng)物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應(yīng)的硅單晶重新出來的動(dòng)力學(xué)過程。它是控制拋光速率的另一個(gè)重要過程。硅片的化學(xué)機(jī)械拋光過程是以化學(xué)反應(yīng)為主的機(jī)械拋光過程，要獲得質(zhì)量好的拋光片，化拋劑哪家好，必須使拋光過程中的化學(xué)腐蝕作用與機(jī)械磨削作用達(dá)到一種平衡。如果化學(xué)腐蝕作用大于機(jī)械拋光作用，則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機(jī)械磨削作用大于化學(xué)腐蝕作用，馬鞍山化拋劑，則表面產(chǎn)生高損傷層。
（1）在連續(xù)性的批量化學(xué)拋光作業(yè)中，要獲得比較穩(wěn)定的拋光效果，就必須對(duì)受熱易分解或消耗量大的溶液組分進(jìn)行及時(shí)的補(bǔ)充和調(diào)整。何時(shí)補(bǔ)加，多長(zhǎng)時(shí)間補(bǔ)一次，化拋劑銷售，每次補(bǔ)多少，均要由具體情況（如拋光制件的多少，拋光溶液的組成等）酌情控制。直觀的依據(jù)是拋光表面的光亮度變化情況，即依拋光效果來調(diào)整。
（2）化學(xué)拋光液的酸值一般應(yīng)穩(wěn)定在1.5~2.5之間。
（3）化學(xué)拋光作業(yè)中，拋光溶液中的鐵含量呈累積性的增加。當(dāng)鐵含量過高時(shí)，拋光質(zhì)量及工效均會(huì)相應(yīng)降低。有文獻(xiàn)指出，補(bǔ)加一些易損耗組分后，若溶液的拋光效果還不能明顯改善時(shí)，即可認(rèn)為該溶液中的鐵含量過高。這時(shí)就應(yīng)該棄舊換新了。比較成熟的經(jīng)驗(yàn)，是拋光溶液中鐵的含量不得高于35g/l
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