原裝現(xiàn)貨供應-ASEMI-90N10原裝現(xiàn)貨供應

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mos管（mosfet）的發(fā)熱情況：
1.電路設計的問題，就是讓mos管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導致mos管發(fā)熱的一個原因。如果n-mos做開關(guān)，g級電壓要比電源高幾v，才能完全導通，p-mos則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻*比較大，壓降*，所以u*i也*，損耗就意味著發(fā)熱。這是設計電路的忌諱的錯誤。
2.頻率太高，主要是有時過分追求體積，導致頻率提高，mos管上的損耗*了，所以發(fā)熱也加大了。
3.沒有做好足夠的散熱設計，電流太高，mos管標稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達到。所以id小于電流，90n10原裝現(xiàn)貨供應，也可能發(fā)熱嚴重，10n60原裝現(xiàn)貨供應，需要足夠的輔助散熱片。
4.mos管的選型有誤，24n50原裝現(xiàn)貨供應，對功率判斷有誤，mos管內(nèi)阻沒有充分考慮，導致開關(guān)阻**。
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asemi品牌 25n120 mos場效應晶體管 插件封裝 mosfet
型號：25n120
封裝：to-247/3p
漏*電流（vds）：25a
漏源電壓（id）：1200v
工作溫度：-55℃~150℃
種類：場效應晶體管/mosfet
品牌：asemi
市面上常有的一般為n溝道和p溝道，原裝現(xiàn)貨供應，詳情參考右側(cè)圖片(p溝道耗盡型mos管)。而p溝道常見的為低壓mos管。
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mos管（mosfet/場效應管）的主要參數(shù)：
7. *間電容
·三個電*之間都存在著*間電容:柵源電容cgs 、柵漏電容cgd和漏源電容cds
·cgs和cgd約為1~3pf，cds約在0.1~1pf之間
8. 低頻噪聲系數(shù)nf
·噪聲是由管子內(nèi)部載流子運動的不規(guī)則性所引起的。·由于它的存在，就使一個放大器即便在沒有信號輸人時，在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化
·噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)nf來表示，它的單位為分貝(db)。這個數(shù)值越小，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小
·低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測出的噪聲系數(shù)
·場效應管的噪聲系數(shù)約為幾個分貝，它比雙*性三*管的要小
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