國(guó)芯思辰|國(guó)產(chǎn)碳化硅可替代科銳C2M0160120D應(yīng)用服務(wù)器電源中

服務(wù)器作為網(wǎng)絡(luò)的節(jié)點(diǎn)存儲(chǔ)，處理著網(wǎng)絡(luò)上80％以上的數(shù)據(jù)和相關(guān)信息，需要24*7不間斷運(yùn)行，承載著整個(gè)企業(yè)甚至**各地的訪(fǎng)問(wèn)任務(wù)，這主要?dú)w功于其高性能、高可靠性電源設(shè)計(jì)。
服務(wù)器的電源設(shè)計(jì)趨勢(shì)主要在于高密度、體積小、功率大并且效率高，因此優(yōu)良的碳化硅功率器件可以滿(mǎn)足不同工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域電源的安全性和可靠性要求。碳化硅mosfet是碳化硅電力電子器件研究中較受關(guān)注的器件，因其高耐壓、低損耗、率等特性，一直被視為“理想器件”，在大功率電源的應(yīng)用方案中可以顯著提高電能利用率。例如目前的新能源汽車(chē)，光伏，儲(chǔ)能，大功率電源及**工業(yè)都是碳化硅功率器件的主要應(yīng)用場(chǎng)景，本文重點(diǎn)提到國(guó)產(chǎn)基本半導(dǎo)體的碳化硅mosfet b1m160120hc在服務(wù)器電源中的應(yīng)用。
基本半導(dǎo)體是**良好的碳化硅功率器件制造商，其覆蓋的碳化硅mos方案憑借其優(yōu)良的性能，常用于大功率元器件中。基本半導(dǎo)體的碳化硅mosfet b1m160120hc可以給服務(wù)器電源提供較高開(kāi)關(guān)頻率，較高的系統(tǒng)效率，同時(shí)可以降低服務(wù)器系統(tǒng)的尺寸和重量，并能夠使電源較能適應(yīng)惡劣環(huán)境的影響，延長(zhǎng)服務(wù)器的使用壽命；以下是b1m160120hc的主要應(yīng)用優(yōu)勢(shì)：
1、b1m160120hc具有導(dǎo)通電阻低、開(kāi)關(guān)損耗小的特點(diǎn)，可降低器件損耗，提升系統(tǒng)效率，較適合應(yīng)用于高頻電路；
2、b1m160120hc具有**低內(nèi)阻，可在大功率應(yīng)用中降低模塊的冷卻要求；
3、b1m160120hc的結(jié)溫范圍為-55°~150°，具有較低的熱耗散和開(kāi)關(guān)損耗，滿(mǎn)足工業(yè)電源的工作環(huán)境；
4、b1m160120hc可完全替代科銳c2m0160120d，提供to-247-3封裝；
綜上，基本半導(dǎo)體的碳化硅mosfet b1m160120hc完全滿(mǎn)足服務(wù)器電源的設(shè)計(jì)方案，國(guó)芯思辰擁有完整的供應(yīng)鏈和全面設(shè)計(jì)支持，可以提供優(yōu)良的碳化硅產(chǎn)品；該產(chǎn)品價(jià)格也非常有優(yōu)勢(shì)，如需樣品，可以在國(guó)芯思辰官網(wǎng)進(jìn)行申請(qǐng)。
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